CMP过滤

CMP过滤：CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，又称化学机械平坦化，是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。 

在CMP工艺环节，研磨液作为其核心材料，是影响抛光质量的关键因素之一。但由于化学不稳定性和处理步骤等问题，一般在研磨液slurry中会缓慢形成凝胶和附聚物，这些形成的大颗粒被输送到晶圆的表面，容易导致晶圆表面微划痕等缺陷，从而导致晶圆产量重大损失； 

此外，区别于普通流体过滤，CMP slurry过滤一方面是希望去除slurry中团聚产生的尾端大颗粒，防止这些颗粒划伤晶圆；另一方面是保留有效研磨颗粒，确保较高的研磨速率和良好的平坦化效果。 因此，为了更好地控制CMP研磨液颗粒的粒径分布，并同时保证研磨速率，在slurry生产制造和使用过程中进行过滤工序，并搭配合适的过滤器十分必要。

CMP 是晶圆制造的平坦化工艺，依靠抛光液（Slurry）+ 抛光垫对晶圆表面进行化学腐蚀 + 机械研磨，把高低起伏的薄膜磨平。CMP 过滤就是对抛光液循环管路、供液终端进行精密过滤，去除抛光液里的大颗粒、团聚磨料、抛光垫碎屑、晶圆研磨碎屑，防止晶圆表面产生划伤、凹坑、斑点缺陷。