光刻工艺

光刻工艺（lithography Filtration）：光刻是半导体核心工艺：将掩模版图形通过曝光转移到晶圆表面光刻胶上。光刻工艺过滤，就是对光刻相关化学品（光刻胶、显影液、冲洗液、边缘去除液等）在输送、循环、喷涂到晶圆前做精密过滤，去除颗粒、凝胶、杂质，防止光刻图形缺陷，保证线宽（CD）均匀稳定。
光刻属于前道洁净度最高的工艺之一，对滤芯的颗粒截留、金属溶出、可萃取物要求极其严苛。

滤材选择：光刻药液多为有机溶剂体系（光刻胶）或强碱性（TMAH），对滤芯要求：极低金属溶出、低可萃取物、低析出、低流体剪切、无纤维脱落。

A.PES 聚醚砜滤芯：光刻胶、BARC 主流选择。亲水性好，低溶出，适合有机体系，捕捉凝胶能力优秀；
B.PTFE 聚四氟乙烯：耐强溶剂，适合部分 EBR 边缘去除液；偏疏水，光刻胶使用前需要充分润湿；
C.PP 聚丙烯：较少用于光刻胶，多用于超纯水冲洗液，成本低；